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IGBT、MOSFET、二极管雪崩耐量测试设备

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品牌:
易恩电气
单价:
188.00元/台 
起 订:
1 台 
供货总量:
100 台
发货期限:
自买家付款之日起 3 天内发货
所在地:
陕西 西安市
有效期至:
长期有效
最后更新:
2019-07-22 13:11
浏览次数:
91
购买询价:
询价

公司基本资料信息

  1. 西安易恩电气科技有限公司
  2.    [诚信档案]
  3. 联系人:李想(女士)     
  4. 会员: [当前离线] [加为商友] [发送信件]
  5. 电话:
  6. 手机:
  7. 地区:陕西-西安市
  8. 地址:陕西省西安市高陵县融豪工业城V5
相关说明
     

概述

向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时,电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减,此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量,表示施加电压时的抗击穿性。对于那些在元件两端产生较大尖峰电压的应用场合,就要考虑器件的雪崩能量,电压尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定,因此对于反激的应用场合,电路关断时会产生较大的电压尖峰。通常的情况下,功率器件都会降额,从而留有足够的电压余量,但是一些电源在输出短路时,初级会产生较大的电流,加上初级电感,器件就会有雪崩损坏的可能,因此在这样的应用条件下,就要考虑器件的雪崩能量。另外,由于一些电机的负载是感性负载,而启动和堵转过程中会产生极高的冲击电流,因此也要考虑器件的雪崩能量。 ENX2020雪崩耐量测试仪是本公司研发设计的测试IGBT、MOSFET、二极管雪崩耐量的专业测试设备,能够准确快速的测试出IGBT、MOSFET、、二极管的雪崩耐量。 西安易恩电气ENX2020  雪崩耐量测试系统,该设备包括:可控直流电源、可选电感、电流传感器、电压传感器、雪崩保护电压、IGBT、MOSFET、二极管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二极管功率型器件保护电路、计算机控制系统、雪崩电压采集系统、雪崩电流采集系统、测试夹具、测试标准适配器、外接测试端口(根据客户需求)等多个部分。

规格/环境要求

电压频率:50Hz±1Hz 环境温度:15~40℃ 工作湿度:温度不高于+30℃时,相对湿度5%-80%。 温度+30℃到+50℃时相对湿度5%-45%,无冷凝。 大气压力: 86Kpa~106Kpa 海拔高度:不超过3000米。 尺    寸:800800x1800mm 质    量:210KG 工作电压:AC220V±10%无严重谐波 系统功耗:320W 通信接口:USB RS232

技术指标

配置 测试范围 测试参数 条件 范围
电压 1000V IGBTs 绝缘栅双极型晶体管 EAS/单脉冲雪崩能量 VCE 20V-4500V 20-100V±3%±1V 100-1000V±3%±5V 1000-4500V±3%±10V
电流 200A MOSFETs MOS场效应管 EAR/重复脉冲雪崩能量 Ic 1mA-200A 1mA-100mA±3%±0.1mA 100mA-2A±3%±5mA 2A-200A±3%±50mA
  DIODEs 二极管 IAS/单脉冲雪崩电流 Ea 1J-2000J 1J-100J±3%±1J 100J-500J±3%±5J 500J-2000J±3%±10J
    PAS/单脉冲雪崩功率 IC检测 50mV/A(取决于传感器)
      感性负载 10mH、20mH、40mH、80mH、100mH
      重复间隙时间 1-60s可调(步进1s)重复次数:1-50次
 
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